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山本 和喜; 山下 清信; 佐川 尚司; 一色 正彦*
no journal, ,
中性子核変換ドーピング(Neutron Transmutation Doping: NTD)法で製造されるNTD-Siの需要が高まってきている。省エネ効果の高いとされるパワーデバイスの需要に応えるためには生産性を向上しなければならない。特に急速に成長するハイブリッド自動車等の分野では、高安全性と低コスト化を両立させるためにNTD-Siの採用が検討されていることから、高品位で大容量のNTD-Si半導体の(1)安定供給,(2)低価格化を進めるため、NTD-Siの生産性向上に関する技術開発を行う。そのためには1JRR-3(東海,20MW)の既存設備を用いた生産性の向上,2JMTR(大洗,50MW)改造による増産(照射設備新設),(3)大口径シリコンの均一照射技術の開発する必要がある。特に国内量産化に効果的である大口径シリコン半導体の照射技術を開発することで、高品位インバータの低コスト化を促進することができる。これら技術開発の現状について説明を行う。
山下 清信; 一色 正彦*; 佐川 尚司; 山本 和喜
no journal, ,
近年、中性子核変換ドーピング(Neutron Transmutation Doping: NTD)法によって製造されるNTD-Siの需要が高まってきている。現在のNTD-Siの製造方法から増産のために取り組んでいる装置開発の状況について説明を行う。また、世界のNTD-Siの市場を状況を分析し、現在の世界の総供給能力を175トン/年と見積もった。しかし、ハイブリッド車への適用を考えると供給量が需要を下回ることが推測されることから、早急にNTD-Siの量産化と安定供給の体制を確保しなければならない。現在、200mm大口径シリコン照射への対応計画を持っている原子炉は、オーストラリアのOPAL,ドイツのFRM-II,ベルギーのBR-2,韓国のHANARO,中国のCARR、そして日本のJMTRが挙げられる。将来的な需要を考えると、これら多目的研究炉では対応できなくなるため、300mm 大口径シリコンの照射が行えるような技術開発を進めることが肝要である。